文章解释了一个小信号，低功率n通道mosfet 2N7000G的主要规格和pinouts。
场效应管与是
当我们谈到场效应晶体管时，我们通常把它与高电流、高电压和高功率应用联系在一起。
然而，就像普通的BJT一样，小信号mosfte也可以像BJT一样有效地使用。
mosfet非常受欢迎，因为它们具有极高的功率传输能力，但总体尺寸更小。
与bjt不同的是，mosfet可以处理巨大的电流和电压，而不需要增大自身的尺寸，也不需要中间缓冲级或高电流驱动级。
Mosfet是如何被触发的
使用场效应晶体管的最大优点是，它可以在操作给定负载时触发，而不考虑栅极驱动电流。
上述特性允许mosfet直接从低电流源如CMOS或TTL输出触发，而不需要缓冲级，与bjt相比有很大的不同。
上述特性也适用于小信号mosfet，可以直接替换为小信号bjt，如BC547，以获得更有效的结果。一个这样的小信号mosfet数据表，规范在这里讨论。
这是n通道2N7000G mosfet，通常适用于200mA和60V最大范围内的小信号应用。
通过它的漏极和源极的开状态电阻通常在5欧姆左右。这种小信号，低功率mosfet的主要特点如下:
主要电气特性:
漏极至源极电压Vdss = 60V DCGate至源极电压Vgs = +/- 20V DC， +/- 40V DC峰值不重复，不超过50微秒漏极电流Id = 200mA DC连续，500mA脉冲
总功耗Pd在Tc = 250 C(结温度)= 350 mW的pinouts，和封装细节可以在这里看到:
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