该帖子讨论了IGBT和MOSFET设备之间的主要差异。让我们了解有关以下文章的事实。
IGTB与功率mosfet的比较
绝缘栅双极晶体管的特点是，与具有较高阻断电压的器件中的传统MOSFET相比，压降显著较低。
n漂移区的深度也必须随着IGBT和MOSFET器件的阻断电压额定值的增加而增加；需要减小压降，这将导致正向导通与器件阻断电压能力的平方关系。
mosfetigbt.
通过将孔或少数载流子从正向传导过程中引入到N漂移区域的P区，通过引入孔或少数载流子的孔或少数载波的电阻显着降低。
但导通状态正向电压n漂移区电阻的降低具有以下特性：
IGBT的工作原理
电流的反向流动被附加的PN结阻断。因此，可以推断IGBT不能像其他器件（如MOSFET）那样反向传导。
因此，将被称为续流二极管的附加二极管放置在桥接电路中，其中需要对反向电流的流动。
这些二极管与IGBT装置平行地放置，以便以相反的方向传导电流。这一过程中的惩罚并不像首先假定的那样严重，因为离散二极管的表现非常高，因为IGBT使用在更高的电压下占主导地位。
n漂移区对集电极p区二极管的反向偏置额定值大多为几十伏。因此，在这种情况下，如果反向电压由电路应用施加到IGBT，则需要使用附加二极管。
少数载流子需要花费大量时间才能进入、退出或重新组合，在每次开启和关闭时注入n漂移区。因此，与功率MOSFET相比，这导致开关时间更长，因此开关损耗显著。
与MOSFET的电力器件相比，IGBT器件中向前向前的电压的沿前级电压下降展示了非常不同的行为模式。
MOSFET的工作原理
MOSFET的压降可以很容易地以电阻的形式建模，压降与电流成比例。与此相反，IGBT器件由二极管形式的压降组成（主要在2V范围内），该压降仅随电流对数的增加而增加。
在较小范围的阻塞电压的情况下，MOSFET的电阻较低，这意味着IGBT和功率MOSFET的器件之间的选择和选择基于涉及任何特定应用的阻塞电压和电流。上面提到的各种不同的切换特性。
对于高电流应用，IGBT优于MOSFET
通常，IGBT器件受到高电流，高电压和低开关频率的青睐，而另一方面则MOSFET器件主要由诸如低电压，高开关频率和低电流的特性而受到青睐。
苏尔比·普拉卡什
亲爱的先生，先生，我想在输出中或在辅助实验室中使用带半伏和2000放大器的变压器
所以我必须把一个igbt或者其他电子钥匙放在二次电路上
是否有任何解决方案来控制该电压和电流？
嗨Sedigh，我认为任何电路都不可以控制2000放大器而不会消散大量的热量......最好的方法是改变变压器绕组，以在输出处获得0.5V。
您好，我能用100摄氏度时功耗为100w的Igbt代替25摄氏度时功耗为1890w的mosfet吗。。我比较的两个晶体管是SGL160N60和Ixfb100n50。。我想在设计3相2.2kw vfd时使用它们中的任何一种
在任何设备上不应允许100度，通过适当的散热和风扇冷却必须限制在50度以下。
因此，我们可以比较25度耗散下的电流，这表明mosfet具有100安培的电流，IGBT具有160安培的电流。
所以绝对是IGBT看起来装备得更好，你可以使用IGBT
嗨赃物感谢您的快速响应。请在两个晶体管之间进行功耗问题吗？我可以用IGBT替换MOSFET无论MOSFET都比IGBT高的功率耗散更多......谢谢
谢谢亚光，功耗是晶体管的单独特征，可以用散热器控制，因此只要电流和电压规格正确匹配，就无关紧要，您可以忽略它并互相更换设备并配置它们根据他们的规格，。
我是否可以在直接使用ir2110的smps逆变器中用IGBT交换MOSFET，而无需修改电路
是的，你可以做到...