共发射极放大器-特性，偏置，解决的例子

该配置称为共同发射器配置，因为这里的发射器用作输入基本信号的公共负端子和输出负载。换句话说，发射极终端成为输入和输出阶段的参考终端（据含两种基础和集电极端子）。

公共发射极放大器是pnp和npn晶体管最常用的晶体管配置，如下图3.13所示。

基本上,这里的晶体管基终端作为输入,收集器被配置为输出,和发射器连接常见的(例如,如果NPN型晶体管发射极可以加入到地面参考行),因此得名为共发射极。对于场效应管，类似的电路称为共源放大器。

共发射极特性

就像公共基配置这里还再次两个特征范围是完全解释公共发射器设置的性质的必要条件：一个用于输入或基极发射器电路的一个，以及输出或集电极 - 发射器电路的接下来。

这两组如图3.14所示:

根据标准的传统规则表示发射极，收集器和基座的电流流动方向。

虽然配置已经更改，但在我们之前的公共基础配置中建立的当前流的关系在这里仍然适用，无需进行任何修改。

这可以表示为:一世E.=我C+我B.而我C=我E.。

对于我们目前的共发射极配置，所指示的输出特性是输出电流(IC)相对于输出电压（Vce）对于输入电流的选定值集（iB.)．

输入特性可以被视为输入电流的绘图（iB.）抵抗输入电压（V.是)对于给定的一组输出电压值（Vce的）

观察图3.14的特征表示I的值B.以微安为单位，而不是集成电路的毫安。

我们还发现I的曲线B.不是完全水平的，就像为我实现的E.在共同基础配置中，这意味着集电极到发射极电压能够影响基极电流的值。

用于共同发射器配置的活动区域可以理解为右上象限的那个部分，其拥有最大的线性度，意义，即曲线的特定区域B.往往是直接的，均匀地蔓延出来。

在图3.14A中，该区域可以在v垂直虚线的右侧见证vCEsat在I的曲线上B.等于零。V左边的区域CEsat被称为饱和区。

在公共发射极放大器的有源区内，集电极-基极结将反向偏置，而基极-发射极结将正向偏置。

如果您记得这些与共同基础设置的活动区域完全相同的因素。可以实现公共发射器配置的有源区域，用于电压，电流或功率放大。

与公共基础配置相比，共用发射器配置的截止区域似乎没有很好地表征。请注意，在图3的收集器特性中，我C在我的同时，并不是对应于零B.是零。

对于共基极配置，每当输入电流IE.恰好接近于零，集电极电流只等于反向饱和电流ICO.为了使曲线IE.= 0时，电压轴为1，适用于所有实际应用。

可以使用EQS的适当修改评估收集器特性的这种变化的原因。（3.3）和（3.6）。如下所述：

评估上述讨论的场景，其中IB = 0 A，通过将典型值(如0.996)替换为α，我们能够获得如下所示的集电极电流:

如果我们考虑国会预算办公室为1 μA时，得到的集电极电流为IB.= 0 a将是250（1μA）= 0.25 mA，如图3的特征中的再现。3.14。

在我们今后的所有讨论中，由条件IB.= 0 μA的表示法由下列公式(3.9)确定。

基于上述新建立的电流的条件可以在下面的图3.15中用上面概述的参考方向来显示。

为了使扩增具有常见发射极模式中的最小失真，Collector电流I建立切断C=我总裁

它的意思是I下面的区域B.=0μA应避免用于确保清洁和从放大器的不置位输出。

共发射极电路如何工作

如果您想让配置像逻辑开关一样工作，例如与微处理器一起工作，那么配置将显示两个关注的操作要点：首先作为截止点，另一个作为饱和区。

截止可以理想地设置在iC= 0 mA为指定的Vce电压。

自I.首席执行官我对于所有硅Bjts通常非常小，可以在我的情况下实现切断以用于切换动作B.= 0 μA或IC=我首席执行官

如果您记得出于公共基础配置，则通过导致结果V的直线等同于直线建立一组输入特征。是= 0.7 V，对于I的所有级别E.哪个大于0 mA

我们也可以对共发射极配置应用相同的方法，这将产生如图3.16所示的近似等效物。

结果符合或我们先前的推论，根据该推论，有源区或导通状态内BJT的基极-发射极电压将为0.7V，并且无论基极电流如何，该电压都将是固定的。

已解决的实例3.2

如何偏见通用发射器放大器

使共发射极放大器适当偏置的方法与实现的方法相同公共网络。

假设你有一个如图3.19a所示的npn晶体管，并且想要通过它强制一个正确的偏置，以便在有源区域建立BJT。

为此，您需要首先指明IE.如图3.19b所示。在这之后，你需要建立其他当前方向，严格按照基尔霍夫的当前定律关系:IC+我B.=我E.

随后，您必须引入具有正确极性的供应线，补充I的指示B.而我C如图3.19c所示，最后结束程序。

以类似的方式，一个pnp BJT也可以在其共发射极模式中偏置，为此你只需将图3.19的所有极性反转即可

典型应用程序：

低频电压放大器

下面展示了公共发射极放大器电路的使用的标准说明。

交流耦合电路的功能类似于电平移位器放大器。在这种情况下，基 - 发射极电压下降应该是约0.7伏特。

输入电容器C去除了输入端的任何直流元件，而电阻器R1和R2用于偏置晶体管，使其在整个输入范围内处于激活状态。输出端是输入端交流分量的倒置复制，该分量已通过比率RC/RE提升，并通过测量值dec移动由所有4个电阻器识别。

由于RC通常相当大，因此该电路上的输出阻抗可能非常大。为了尽量减少这一问题，RC保持尽可能小，加上放大器配有电压缓冲器，如发射极跟随器。

射频电路

共发射极放大器有时也使用射频电路，例如扩增通过天线所获得的弱信号。在这样的情况下，它通常被包括调谐电路的负载电阻器代替。

这可以实现以将带宽限制为整个期望的工作频率的一些薄带。

更重要的是，它允许电路在更高的频率下工作，因为调谐电路使其能够共振任何通常禁止频率响应的电极间电容和通路电容。普通发射器也可广泛用作低噪声放大器。