尽管晶体管(BJT)普遍用于制造放大器电路,但是也可以有效地用于切换应用。
晶体管开关是电路,其中晶体管的集电极接通/断开,电流相对较大,响应于其基极发射器处的相应切换低电流开/关信号。
作为一个例子,以下BJT配置可以用作交换机对计算机逻辑电路的输入信号进行反相处理。
在这里,您可以发现输出电压Vc与晶体管的基础/发射极施加的电位相反。
而且,与基于放大器的电路不同,基座未与任何固定的DC源连接。收集器具有DC源,其对应于该计算机应用壳体中系统的电源电平,例如5 V和0V。
我们将讨论如何设计该电压反转,以确保操作点沿着负载线正确切换到饱和度,如下图所示:
对于目前的场景,在上图中,我们假设IC = Iceo = 0 mA,当IB = 0 UA时(关于增强施工策略的很好近似)。此外,让我们假设VCE = VCE(SAT)= 0 V,而不是通常的0.1到0.3 V级。
现在,在VI = 5 v时,BJT将打开,并且设计考虑必须确保配置高度饱和,其幅度为IB,其可能超过与接近饱和度级别的IB曲线相关联的值。
如上图所示,这种情况可以呼叫IB大于50 UA。
计算饱和水平
可以使用公式计算所示电路的收集器饱和度水平:
IC(SAT)= VCC / RC
可以使用公式计算饱和度之前的活动区域中的基极电流的大小:
IB(MAX)≅IC(SAT)/βdc----------等式1
这意味着要实现饱和级别,必须满足以下条件:
IB> IC(SAT)/ IC(SAT)/βdc--------等式2
在上面讨论的图表中,当VI = 5 V时,可以在以下方法中评估生成的IB级别:
如果我们使用这些结果测试等式2,我们得到:
这似乎是完全满足所需的条件。毫无疑问,将允许任何高于60 UA的IB的值在靠近垂直轴线的负载线上进入Q点。
现在,EFERRD在第一图中所示的BJT网络,而VI = 0 V,IB = 0 UA和ASUMING IC = ICO = 0 mA,则跨越RC发生的挥发滴将根据公式:
vrc = ICRC = 0 V.
这为我们提供了上述第一图的VC = +5 V.
除了计算机Logoc切换应用外,该BJT配置还可以使用相同的负载线的极端点来实现。
发生饱和时,电流IC趋于得非常高,相应地将电压VCE放到最低点。
这在下图中描绘的两个端子上的阻力水平并使用以下公式计算:
R(SAT)= VCE(SAT)/ IC(SAT)如下图所示。
如果我们假设VCE(SAT)的典型平均值,例如上述公式中的0.15V,我们得到:
与BJT的收集器端子的千欧欧姆中的串联电阻相比,集电器发射极端子上的这种电阻值看起来非常小。
现在,当输入VI = 0 V时,BJT切换将被切断导致收集器发射器中的电阻为:
R(截止)= VCC / ICEO = 5 V / 0 mA =∞Ω
这会产生集电器发射极端子的开放式电路类型。如果我们考虑冰剑的典型值10 UA,则切断阻力的值将如下所给出的:
切断= Vcc / ICEO = 5v / 10ua = 500k Ω
该值看起来显着大,并且与大多数BJT配置为开关的开路电路。
解决一个实用的例子
根据ICmax = 10mA,计算配置在下面的逆变器的晶体管开关的RB和RC的值
表达收集器饱和度的公式是:
ICSAT = VCC / RC
∴10ma= 10 v / rc
∴RC= 10 V / 10 mA =1kΩ
同样,在饱和点
IB≅IC(SAT)/βdc= 10 mA / 250 =40μA
为了保证饱和,让我们选择IB =60μA,并使用公式
IB = VI - 0.7 V / RB,我们得到
RB = 10 V - 0.7V /60μA=155kΩ,
从上面的结果舍入到150kΩ,并再次评估上述公式:
IB = VI - 0.7 V / RB
= 10V - 0.7V /150kΩ=62μA,
由于IB =62μA>ICSAT /βdc=40μA
这证实了我们必须使用RB =150kΩ
计算开关晶体管
由于它们从一个电压电平的快速切换到另一个电压电平,您将找到称为开关晶体管的特殊晶体管。
下图比较了符号为TS,TD,TR和TF的时间段与设备的集电极电流。
时间段对收集器速度响应的效果由收集器电流响应定义,如下所示:
晶体管从“OFF”切换到“ON”状态所需的总时间象征为T(开启),并且可以由公式建立:
T (on) = tr + td
这里Td识别输入切换信号改变状态并且晶体管输出响应变化的延迟。时间Tr表示最终切换延迟为10%至90%。
BJT从导通状态关闭状态的总时间被指示为t(关闭),并由公式表示:
t(关闭)= ts + tf
TS确定存储时间,而TF将下降时间从最初值的90%识别为10%。
REFFERNG到上述图表,对于通用BJT,如果收集器电流IC = 10 mA,我们可以看到:
ts = 120 ns,td = 25 ns,tr = 13 ns,tf = 12 ns
这意味着t(上)= tr + td = 13 ns + 25 ns = 38 ns
T (off) = ts + tf = 120 ns + 12 ns = 132 ns
victor simutowe.说
我想使用PCB学习设计实用的电子电路。我想开始制作电弧焊接机,电池充电器等等更刚提及几个。我不是工程师,但我一般来说,我对电子产品的了解,我想通过与你这样的高动力工程师互动来改善知识。在这方面,我将从时间向您发送一些请求和问题。
亲切的问候,
胜利者。
地理学说
嗨,抱歉这个愚蠢的问题。
我们可以将晶体管构建为具有公共基础/公共收集器配置的交换机吗?
谢谢。
Swagatam.说
嗨,是晶体管用作直流电路的开关
地理学说
你能告诉我电路的样子吗?
我一直在谷歌搜索,但我找不到使用公共基本/收集器配置的电路。
Swagatam.说
YouTube上有一些很好的视频,您可以彻底观看并理解它们......