在之前的文章中我们了解到以下是偏置,在这篇文章中,我们将学习什么是晶体管或BJT饱和,以及如何通过公式和实际评估快速确定值。
什么是晶体管饱和度
术语饱和是指任何系统的规格水平已达到最大值。
当电流参数达到最大规定值时,晶体管可以说是在其饱和区域内工作。
我们可以采取完全湿海绵的示例,当它没有空间以保持任何进一步的液体时,这可能处于其饱和状态。
调整结构可以迅速改变晶体管的饱和电平。
说到这里,最大饱和水平将总是按照在设备的数据表中概述的设备的最大集电极电流。
在晶体管结构中,通常保证器件不达到饱和点,因为在这种情况下,基集电极不再处于反向偏置模式,从而导致输出信号失真。
我们可以在图4.8a中看到饱和区域内的一个工作点。观察到这是特性曲线与集电极到发射极电压的连接处低于VCEsat或处于同一水平的特定区域。此外,集电极电流在特性曲线上也比较高。
如何计算晶体管饱和水平
通过比较和平均图4.8a和4.8b的特征曲线,我们可能能够实现一种快速确定饱和度水平的方法。
在图4.8b中,我们看到电流水平相对较高,而电压水平在0V。如果我们在这里应用欧姆定律,我们可以计算BJT集电极和发射极引脚之间的电阻,方法如下:
上述公式的实际设计实现如下图4.9所示:
这意味着无论何时需要快速评估的近似饱和集电极电流给定电路是机器,你可能只是一个等效短路值在集电极发射极的设备,然后把它的公式近似收集器饱和电流。简单地说,指定VCE = 0V,然后您可以轻松地计算VCEsat。
在具有固定偏置配置的电路中,如图10所示,可以应用短路,这可能导致跨越电压Vcc的RC的电压。
在上述条件下发展的饱和电流可以用以下表达式来解释:
求解BJT饱和电流的实例:
如果我们将上述结果与我们在结束时获取的结果进行了比较这个帖子,我们发现结果ICQ= 2.35ma是远低于上述5.45mA,这表明通常BJT在电路中的饱和水平中永远不会在饱和水平中运行,而是较低的值。
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