本文讨论了IGBT和MOSFeT器件的主要区别。让我们从下面的文章中了解更多的事实。
IGTB与功率mosfet的比较
在具有更高阻塞电压的器件中，与传统的MOSFET相比，绝缘栅双极晶体管具有显著低的电压降。
n漂移区域的深度也必须随着IGBT和MOSFET器件的阻塞电压额定值的增加而增加;下降需要减少，这导致了一个关系，这是一个平方关系的下降，在正向传导与设备的阻塞电压能力。
MosfetIGBT
在正向导电过程中，由于集电极p区向n漂区引入空穴或少数载流子，n漂区电阻显著降低。
但是在导通正向电压上的n漂移区电阻的降低具有以下特性:
IGBT是如何工作的
电流的反向流动被附加的PN结所阻断。因此，可以推断igbt不能像其他器件如MOSFET那样反向导电。
因此，在需要反向电流流动的桥式电路中放置一个额外的二极管，称为自由二极管。
这些二极管与IGBT器件并联放置，以使电流反向传导。在这个过程中的惩罚并不像最初设想的那样严重，因为由于IGBT的使用在更高的电压下占主导地位，离散二极管比MOSFET的体二极管提供了非常高的性能。
n漂移区对集电极p区二极管的反向偏置的额定值大多为几十伏。因此，在这种情况下，如果电路应用程序对IGBT施加反向电压，则需要使用一个额外的二极管。
少数载流子进入、退出或重组需要花费大量的时间，这些载流子在每次开启和关闭时都被注入到n-漂移区域。因此，与功率MOSFET相比，这导致开关时间更长，因此开关损耗显著。
与mosfet的功率器件相比，IGBT器件的正向级电压降表现出非常不同的行为模式。
场效应管的工作原理
MOSFET的电压降可以很容易地以电阻的形式建模，电压降与电流成比例。与此相反，IGBT器件由二极管形式的电压降(主要在2V范围内)组成，仅随电流对数增加。
当闭塞电压范围较小时，MOSFET的阻力较低这意味着设备之间的选择和选择的IGBT和功率场效应管是基于参与的阻断电压和电流的任何特定的应用程序以及各种不同特性的开关上面提到的。
IGBT比Mosfet更适合大电流应用
一般来说，IGBT器件具有高电流、高电压和低开关频率的特点，而MOSFET器件则主要具有低电压、高开关频率和低电流的特点。
由Surbhi普拉卡什
我可以在一个直接使用ir2110的smps逆变器中交换mosfet和IGBT吗，没有电路修改
是的，你能做到……
我是否可以使用功率耗散在100摄氏度为100w的Igbt来代替功率耗散在25摄氏度为1890w的mosfet。我比较的两个晶体管是SGL160N60和Ixfb100n50..我想使用他们中的任何一个在设计一个3相2.2kw vfd
嗨，马特，任何设备上的温度都不允许达到100度，必须通过适当的散热和风扇冷却将温度限制在50度以下。
因此，我们可以比较25度耗散的电流，显示mosfet有100安培和IGBT 160安培。
所以肯定IGBT看起来更好的装备，你可以使用IGBT
嗨，宝贝，谢谢你的快速回复。请问两个晶体管之间的功耗有关系吗?我可以用Igbt代替mosfet吗?尽管事实上mosfet比Igbt有更高的功率损耗…谢谢
感谢马特,功耗是晶体管的个体特征与散热片可控制,所以它并不重要,只要电流和电压规格正确匹配,你可以无视这彼此和替换的设备和配置他们按照规范,。
你好，亲爱的先生，我想用半伏和2000安培的输出或在实验室的二次变压器
所以我必须把一个igbt或任何其他类型的电子钥匙放在次要的
有没有办法控制这种电压和电流?
嗨，Sedigh，我不认为任何电路可以在不消耗大量热量的情况下控制2000安培…最好的方法是修改变压器绕组，使其输出电压为0.5 V。