mosfet与bj晶体管的比较-优缺点

本文全面讨论了mosfet和bjt的异同，以及它们各自的优缺点。

介绍

当我们谈到电子学时，有一个名字与这一主题极其相关或相当普遍，那就是晶体管，更确切地说，是BJT。

Electronics实际上基于这些未突出和不可或缺的成员，没有哪些电子器件几乎不再停止存在。然而，对于技术的进步，MOSFET成为BJT的新表兄弟，并且迟到了中心阶段。

对于许多新人来说，与传统的BJT相比，MOSFET可能会使参数混淆参数，仅仅因为配置它们需要遵循的关键步骤，而不是遵守这些组件的永久性损坏。

这篇文章在这里被特别提出，目的是为了用简单的语言来解释电子家族中这两个非常重要的活跃部分之间的许多相似点和不同之处，以及关于各自成员的优缺点。

双极晶体管与mosfet的比较

我们都熟悉bjt，知道它基本上有三个引线，基极，集电极和发射器。

发射器是施加到基座的电流的出口路径和晶体管的集电极。

基极需要0.6到0.7V的电压，而发射器需要通过集电极和发射器实现相对较高的电压和电流开关。

虽然0.6V看起来很小，而且几乎是固定的，但相关的电流需要根据连接在集电极上的负载变化或增加。

意思是，如果假设在晶体管的集电极处用1k电阻连接LED，则可能只需要1或2个Miiliamps，以使LED发光。

但是，如果连接继电器代替LED，则需要在同一晶体管的基础上需要超过30毫毫安进行操作。

上面的陈述清楚地证明了晶体管是电流驱动的元件。

与上述情况不同，MOSFET以相反的方式行为。

比较场效应晶体管的基极与栅极、发射极与源极、集电极与漏极，一个场效应晶体管的栅极与源极之间至少需要5V电压才能使负载在其漏极终端完全切换。

与晶体管的0.6V需求相比，5伏可能看起来大量，但是关于MOSFET的一个很好的事情是，这5V的电流可忽略不计，而且无论是连接的负载电流如何，这无论是连接的LED，都无关紧要吗？继电器，步进电机或逆变器变压器，MOSFET栅极处的电流系数变得无关紧要，并且可以像少数微安一样小。

也就是说，电压可能需要一些高度，如果连接的负载太高，则可以高达20V的MOSFET，大约为30到50放大器。

上面的语句表明MOSFET是电压驱动组件。

由于电压对任何电路来说都不是问题，所以mosfet的操作变得简单和高效，特别是当涉及较大的负载时。

双极晶体管的利弊:

1. 晶体管更便宜，在处理时不需要特别注意。
2. 晶体管甚至可以在低至1.5V的电压下工作。
3. 几乎没有机会被损坏，除非对参数做一些激烈的事情。
4. 如果连接的负载更大，则需要更高的触发电流，使其迫切需要一个中间驱动程序级，使事情变得非常复杂。
5. 上述缺点使得它不适合直接与CMOS或TTL输出接口，在采集器负载相对较高的情况下。
6. 具有负的温度系数，因此在并行连接更多数字时需要特别注意。

MOSFET的利弊:

1. 需要可忽略的电流触发，无论负载电流大小，因此成为兼容所有类型的输入源。特别是当CMOS集成电路参与时，mosfet很容易“握手”这种低电流输入。
2. 这些器件是正温度系数，意味着可以在没有担心热失控情况的情况下并行添加更多MOSFET。
3. MOSFET相对昂贵，需要进行谨慎处理，特别是在焊接时进行处理。由于这些对静电敏感，因此adeqaye指定的预防措施成为必要的。
4. mosfet通常需要至少3v的触发，所以不能用于低于这个值的电压。
5. 这些是相对敏感的组成部分，对预防措施的一点疏忽可以导致瞬间损坏。